3358www.Sina.com/基本開關(guān)電路是應(yīng)用廣泛的重要電路，主要為一、基本開關(guān)電路：，數(shù)字開關(guān)電路和3http://www.Sina.com /
模擬開關(guān)電路主要由晶體管或MOS管構(gòu)成，該開關(guān)電路廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)和繼電器驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，是最常用的開關(guān)電路。
機(jī)械開關(guān)電路模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)相比抗干擾能力較低，因此晶體管等基極電流會(huì)對(duì)模擬信號(hào)產(chǎn)生較大的噪聲，因此多使用MOS管而不是晶體管。 該模擬開關(guān)電路廣泛應(yīng)用于高頻天線開關(guān)、傳感器模擬開關(guān)、音視頻模擬開關(guān)等模擬信號(hào)的開關(guān)應(yīng)用中，它也是一種非常常用的開關(guān)電路。
（1）數(shù)字開關(guān)電路：單刀雙刀開關(guān)、繼電器開關(guān)等屬于機(jī)械開關(guān)范疇。 機(jī)械開關(guān)的明顯缺點(diǎn)是開關(guān)頻率低、開關(guān)器件體積大、壽命短； 機(jī)械開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗小、隔離非常好，并且可以斷電保持功能。 機(jī)械開關(guān)電路的原理非常簡(jiǎn)單，所以這里不詳細(xì)說明。
（2）模擬開關(guān)電路：
3358www.Sina.com/是計(jì)數(shù)接通斷開晶體管集電極-發(fā)射極間的電流并用作開關(guān)的電路，此時(shí)的晶體管為（3）機(jī)械開關(guān)電路：和http://www.Sina.com 晶體管的數(shù)字開關(guān)電路主要有二、晶體管數(shù)字開關(guān)電路：和2.1、基本組成：兩種，其中發(fā)射極接地型開關(guān)電路去除集電極電阻后為http://www.Sina.com 同樣，射極跟隨器型開關(guān)電路可以復(fù)制兩個(gè)并改變?yōu)?strong>截止區(qū)。
需要輸出飽和區(qū)時(shí)，集電極電流(負(fù)載電流)是放大了基極電流的電流，因此需要能夠從輸入端提供發(fā)射極接地型開關(guān)電路的基極電流，輸出端大負(fù)載電流時(shí)的基極電流因此，為了解決該問題，可以采用3358www.Sina.com/。 達(dá)林頓管為射極跟隨器型開關(guān)電路，其開集輸出(OC)電路。 如下圖所示，用達(dá)林頓管連接后，前管的發(fā)射極電流均為后管的基極電流，因此為推挽輸出電路。 因此，可以在小的基礎(chǔ)電流下獲得用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載機(jī)器的大負(fù)載電流。 但是達(dá)林頓管的大的負(fù)載電流
大于1/Hfe
) 1、開關(guān)頻率：達(dá)林頓管，可以明顯提高開關(guān)頻率，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)。
(2)、隔離)表示開關(guān)off時(shí)有多少輸入信號(hào)漏到輸出的特性。 輸入信號(hào)頻率低的情況下，泄漏少； 但是，當(dāng)輸入信號(hào)的頻率變高時(shí)，輸入信號(hào)通過晶體管的集電極-發(fā)射極之間的極間電容泄漏到輸出中。 這使得隔離的參數(shù)變得非常重要。
(3)、導(dǎo)通電阻)表示開關(guān)導(dǎo)通時(shí)晶體管的集電極-發(fā)射極之間的等效電阻特性。 導(dǎo)通電阻過大時(shí)，信號(hào)和功率損耗也變得非常大，所以導(dǎo)通電阻越小越好。
復(fù)合管
) 1、邏輯電平轉(zhuǎn)換電路。
) 2、繼電器驅(qū)動(dòng)電路。
) 3、LED顯示屏驅(qū)動(dòng)電路。
) 4、光耦合傳輸電路。
直流放大倍數(shù)Hfe非常大
3358www.Sina.com/是計(jì)數(shù)接通斷開MOS管漏極-源極間的電流并用作開關(guān)的電路，此時(shí)的MOS管為3358www.Sina.com/和3358 www.Sina.com MOS管數(shù)字開關(guān)電路主要有總的直流放大倍數(shù)Hfe是各個(gè)晶體管的直流放大倍數(shù)Hfe之積(Hfe1 * Hfe2)和開啟電壓一般為1.2~1.4V，為兩個(gè)Vbe兩種，其中源極接地型開關(guān)電路去掉漏極電阻后為2.2、晶體管開關(guān)電路的性能參數(shù)：； 同樣，復(fù)制兩個(gè)源跟隨器類型的開關(guān)電路后，可以更改為射極跟隨器型開關(guān)電路。
2.3、晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用：
) 1、開關(guān)頻率： MOS管無電荷積累效應(yīng)，因此開關(guān)速度與晶體管開關(guān)三、MOS管數(shù)字開關(guān)電路：相比，MOS管可以高速開關(guān)，多用于工作頻率高的開關(guān)電源電路當(dāng)然，采用3.1、基本組成：可以進(jìn)一步改善高頻特性。
(2)、隔離)表示開關(guān)off時(shí)有多少輸入信號(hào)漏到輸出的特性。 輸入信號(hào)頻率低的情況下，泄漏少； 但是當(dāng)時(shí)
輸入信號(hào)頻率提高，輸入信號(hào)會(huì)通過MOS管的漏極-源極間的極間電容向輸出泄露，這是隔離度參數(shù)變得異常重要。
(3)、導(dǎo)通電阻：MOS管的導(dǎo)通電阻會(huì)比晶體管的導(dǎo)通電阻小很多，因此非常適合大功率重負(fù)載驅(qū)動(dòng)的開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。
3.3、MOS管開關(guān)電路的應(yīng)用：
(1)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
(2)、開關(guān)電源電路。
四、模擬開關(guān)電路：模擬開關(guān)電路主要處理模擬量信號(hào)，由于模擬信號(hào)的抗干擾能力較弱且易失真，因此必須考慮開關(guān)器件對(duì)原始輸入信號(hào)的干擾程度。由于晶體管的基極電流會(huì)對(duì)模擬信號(hào)產(chǎn)生較大的干擾作用并使其失真，因此常常使用MOS管作為模擬開關(guān)電路的開關(guān)器件。
(1)、模擬開關(guān)電路的性能參數(shù)：開關(guān)頻率、隔離度和導(dǎo)通電阻等等。
(2)、模擬開關(guān)電路的應(yīng)用：高頻天線開關(guān)、傳感器模擬開關(guān)、音視頻模擬開關(guān)等等。
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